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IT之家 8 月 13 日消息，据韩媒 THE ELEC 报道，SK 海力士研究员 Seo Jae-Wook 在韩国水原当地时间 12 日举行的学术会议上表示，未来考虑转向 4F2 或 3D 结构的 DRAM 内存，以降低成本压力。 Seo Jae-Wook 表示： 从 1c DRAM 开始，EUV 光刻成本迅速增加，现在是时候考虑以这种方式制造 DRAM 是否有利可图了。 （SK 海力士）也在考虑是否应该从下一代产品开始转向 VG（IT之家注：即垂直栅极，Vertical Gate）或 3D